Cinque Terre

成果资源

首页 - 科研成果 - 成果资源 - 正文

【成果推介】用于快充锂离子电池的大尺度单层颗粒电极设计

来源:    作者:    发布时间:2022-07-01    阅读量:


【技术领域】

新能源


【研究背景】

锂离子电池的快速充电能力直接影响其在3C电子产品和电动汽车等领域的应用。电池的快充能力与电极结构密切相关。常规的电极由随机堆叠的活性颗粒组成,其内部孔结构随机无序,需要降低电极载量和厚度来缩短锂离子在电极中的传输距离,从而提升电极的快充性能。然而,这大大降低了活性物质在电极整体中的占比(活性材料/(活性材料+非活性材料)),牺牲了电池的整体能量密度。因此,亟需实现在保持电极高面容量的情况下,提高电池的快充性能,从而满足3C电子产品和电动交通工具对能量密度和快充性能的综合需求。


【成果介绍】

本成果提出了一种由大尺度单层颗粒组成的电极结构,该电极具有垂直于集流体的载流子传输通道,能够解决高载量电极所面临离子传输速率慢的问题。将红P负载到具有垂直排列纳米通道(~ 22 nm)的大块石墨烯基颗粒中(红P/VAG~60 μm),设计了由大尺度单层红P/VAG颗粒组成的电极。所设计的电极能够同时实现锂离子电池的快速充电和高的能量密度,具有非常广阔的应用前景和巨大的商业价值。

图1 常规纳米/亚微颗粒电极(左)和单层活性颗粒电极(右)的示意图

图2 (a)红P/VAG颗粒的制备示意图;(b, c)VAG颗粒的SEM和TEM图;(d)红P/VAG颗粒的STEM和相应的元素分布图像;(e)VAG和红P/VAG颗粒的氮气吸脱附等温线;(f, g)单层红P/VAG颗粒电极的SEM图;(e)中的插图为VAG和红P/VAG颗粒的孔径分布图

图3 (a)NCM622||单层红P/VAG软包电池的结构示意图;(b, c) NCM622||单层红P/VAG软包电池在1至40 mA cm-2的充电电流密度下的倍率性能;(d)当充电时间为30、20、15、12、10和8 min时电池可达到的Eg和Ev;(e)各类电化学储能装置和NCM622||单层红P/VAG软包电池能量和功率密度的拉贡图;(f, g)NCM622||单层红P/VAG软包电池在15 mA cm-2的充电电流密度下的循环性能(充电时间为20 min)


【技术优势】

1)该电极在面容量高达5.6 mAh cm-2(商业石墨快充极片2倍)时,能够使电池10分钟快充至50%以上容量。

2)由于适度高于商业石墨的工作电位,该负极在快充条件下可以避免具有安全危害性的锂枝晶的生成。

3)该电极与商业正极组装的软包电池具有优异的循环性能和高的能量密度(405 Wh kg-1),超过商业石墨基快充电池的能量密度。

4)电池进行10分钟快速充电其能量密度可达204 Wh kg-1


【知识产权】

本成果申请了多项中国发明专利,下表是部分展示:


【应用场景】

3C电子产品和电动交通工具


【合作方式】

技术开发、技术服务、技术转让、技术许可、技术入股、面谈等


【专家介绍】

孙永明,博士,华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、博士生导师,入选国家高层次青年人才项目,《麻省理工学院科技评论》“TR35 全球科技创新领军人物”(35 Innovators Under 35)中国区榜单。孙永明教授长期从事新型储能材料与技术(锂离子电池、锂金属电池等)等方向的科学研究,在新型储能材料与技术相关领域取得了一系列重要进展,在知名国际期刊发表通讯作者或第一作者论文40+篇,包括Nature Energy 2)、Nature Communications1)、Advanced Materials 4)、Science Bulletin 1)、 Journal of the American Chemical Society1)、Angewandte Chemie 1)、Advanced Functional Materials3)、Energy & Environmental Science1)、Joule1)、Chem1)、Nano Letters5)、ACS Nano2)、Advanced Energy Materials2)、Energy Storage Materials6)、Nano Research2)等。此外,获得授权/申请国内外专利10余项目。据google scholar, 所发论文引用超过15000次,H因子为54


【联系方式】



成果编号:CG22024


©版权所有:华中科技大学科学技术发展院

地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号南三楼109、110,南一楼西楼102,东一楼340 邮政编码:430074 Tel:027-87543315 027-87558732 027-87559760 mail:iat@hust.edu.cn