依据《华中科技大学科技成果转化管理办法》文件精神，对我校武汉光电国家研究中心沈力老师团队的“一种硅基片上双波段偏振分束器等2项专利技术”成果转化挂牌相关事项披露如下：

一、成果名称及简介

成果包含2项知识产权：

（1）发明专利：一种硅基片上双波段偏振分束器

发明人：沈力，程光炼，衣启源，郑爽

专利号：ZL202310328539.9

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种硅基片上双波段偏振分束器，属于硅基光子学领域。包括双波段模式复用器、第一布拉格光栅和第二布拉格光栅。双波段模式复用器由两个锥形波导组成，其中较宽的波导是总线波导，较窄的波导是接入波导，接入波导和总线波导通过S弯曲波导分离。布拉格光栅是通过在内部刻蚀孔形成的，用于1550nm波段和2000nm波段的模式转换，将前向传播的TE0模式转换为后向传播的TE1模式，再将后向传播的TE1模式解复用为接入波导中的TE0模式并进行分离。而TM0模式可以直接通过双波段模式复用器和布拉格光栅进行传输，从而形成一种片上双波段偏振分束器。本发明明显提升了器件的工作带宽，满足集成光电子器件的尺寸要求，将更灵巧的应用于光互连系统中。

（2）发明专利：一种反馈式半导体激光器的调控装置

发明人：张敏明，田琦

专利号：ZL202110073533.2

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种反馈式宽温高速半导体激光器及其调控方法与装置，属于半导体器件领域，包括：器件区和电流反馈补偿区，器件区包括分布反馈激光器区、无源反馈区和有源反馈区，分布反馈激光器区的有源层为多量子阱结构；无源反馈区为不会产生增益的体材料，主要作用是通过电光效应来调控相位；有源反馈区为体材料结构，能对信号光产生增益，主要作用是补偿无源反馈区引入的损耗。激光器自身的驰豫振荡频率和反馈引入的光子光子谐振（PPR）频率是激光器小信号频率响应的两个峰值，二者要保持适当的距离，才能使得激光器在工作时调制带宽保持在较高值。当半导体器件的温度高于初始温度时，器件区中的阈值电流升高和微分增益降低，使得驰豫振荡频率降低，驰豫振荡频率和PPR频率间距变大，3dB带宽减小。测激光器在某些特定频率点的响应，通过电流反馈补偿区改变施加到无源反馈区和有源反馈区的电流，即可改变PPR频率的位置，补偿温度升高对驰豫振荡频率的影响，使器件的调制带宽保持在较高值，即使得器件可在宽温度范围内保持高的调制带宽，因为无需为器件额外设置制冷装置，器件能耗较低，运行成本降低。

二、挂牌底价

挂牌价格：40万元。

三、挂牌网址

学校委托上海技术交易所对该项目进行公开挂牌，挂牌时间自2026年6月2日至2026年6月9日，具体挂牌信息详见技术交易所网站，最终交易信息以技术交易所成果交易公告为准。

上海技术交易所：一种硅基片上双波段偏振分束器等2项专利技术

特此公告。

科学技术发展院

2026年6月3日