华中科技大学科技成果转化公示

〔2018〕 3号

根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》（校科技〔2016〕11号）规定，对“新型显示微纳结构制造技术”成果转化相关事项公示如下:

一、成果名称及简介：

该成果包含如下4项知识产权：

（1）发明专利:一种芯片位置和倾角检测装置及方法

发明人：尹周平、王峥荣、张步阳、谢俊、钟强龙、陈建魁、陶波

专利号：ZL201210405133.8

专利权人：华中科技大学

简介：针对现有技术的缺陷或技术需求，本发明提供了一种芯片位置和倾角检测装置及方法，通过采用自准直仪和两套不同视野范围的相机并对其配套光学元件进行设置，可同时测量芯片和基板的位置信息，并能在同一光路中完成对芯片倾角的精密测量。整体检测装置结构紧凑，便于操作，进一步提高检测精度。

（2）发明专利:一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴

发明人：尹周平、陈建魁、李秀鹏、洪金华、李建军

专利号：ZL201510061807.0

专利权人：华中科技大学

简介：本发明专利提供了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴，通过对其整体构造的组成和布局、尤其是对其中的关键组件如胀轴模块、切换模块和传动模块等的具体结构及其设置方式进行研究和设计，相应能够在仅采用单个动力源的情况下即可高精度、便于切换地完成胀轴的胀开和旋转运动，而且即便料管稍有弯曲或者完整性较差，也能够确保胀开后的料管具备符合要求的圆度和直线度，同时具备便于操控、输送张力分布均匀和保持稳定、整体结构紧凑和无需任何气源等特点，因而尤其适用于柔性薄膜之类的卷绕输送用途。

（3）发明专利:一种小线宽沟道的制备方法及其应用

发明人：黄永安、尹周平、王小梅、易海涛

专利号：ZL201110164570.0

专利权人：华中科技大学

简介：本发明是用来制造薄膜晶体管源极和漏极之间的小线宽沟道，可实现亚微米/纳米惊讶的沟道宽度，极大地提高了OTFT器件的性能。

（4）发明专利:制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置

发明人：黄永安、丁亚江、陈坚、尹周平

专利号：ZL201110164570.0

专利权人：华中科技大学

简介：针对现有技术的缺陷或改进需求，本发明提供了应用混合型喷嘴喷印制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置，其工艺简单，在混合型喷嘴制备完成的情况下，静电纺丝工艺实现简单。

二、拟交易价格

作价投资：人民币302.38万元

三、价格形成过程

学校委托深圳中联资产评估有限公司对该项目进行资产评估，评估价值为人民币302.38万元。经全体发明人同意，并与其他出资方及受让方广东聚华印刷显示技术有限公司协商，各方同意该成果作价302.38万元增资。

特此公示，公示期15日，自2018年3月1日起至2018年3月15日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我办反映。

联系人：朱老师

联系电话：027-87540925

科技成果转化办公室

2018年3月1日