根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心张静宇老师团队的“一种聚丙烯腈用作光存储介质的多维光存储方法等4项专利”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含4项知识产权：

（1）发明专利：一种聚丙烯腈用作光存储介质的多维光存储方法

发明人：张静宇，高骥超，牛广达

专利号：ZL202111596025.9

专利权人：华中科技大学

简介：本发明首次将聚丙烯腈用作光存储介质，写入存储数据时所需激光能量显著低于熔融石英加工所需能量，降低了多维光存储系统对飞秒激光器的性能需求，能有效降低系统成本。同时提供了微孔结构、各向异性结构2种激光加工优选的改性结构作为存储单元设计，应用灵活。

（2）发明专利：一种基于空间方向复用的多维度光存储写入方法

发明人：张静宇，高骥超，刘思垣

专利号：ZL201810654676.0

专利权人：华中科技大学

简介：现有的多维光存储技术仍无法满足数据存储需求。因此，在存储单元尺寸受限于光学衍射极限的情况下，为了继续提高光存储的存储容量，迫切需要开发新的数据复用维度。本发明提供了一种基于空间方向复用的多维度光存储写入方法，其目的在于，通过对焦点处光场强度分布的空间方向的复用，在存储单元尺寸受限于光学衍射极限的情况下，进一步提高光存储的存储容量，推动光存储技术发展。

（3）发明专利：一种降低飞秒激光引入结构所需脉冲数的装置和方法

发明人：张静宇，高骥超，刘思垣

专利号：ZL202010354304.3

专利权人：华中科技大学

简介：传统方法生成纳米光栅结构所需脉冲数量较多，而本发明通过产生两束飞秒激光脉冲并调制延迟时间，使第二束脉冲加速纳米等离子体激元的非对称生长过程，有效减少了生成纳米光栅结构所需的脉冲数量，提高了生成速度，在激光加工领域尤其是光存储应用方面具有明显优势，领先于传统技术。

（4）发明专利：一种调控纳米光栅光轴三维方向的方法、系统及应用

发明人：张静宇，高骥超，刘思垣

专利号：ZL202010595903.4

专利权人：华中科技大学

简介：现有的五维光存储方法仅能对纳米光栅光轴进行二维调控，该发明通过改变激光光束光强分布，破坏加工系统中心对称性，实现了纳米光栅光轴三维方向的调控，可将五维光存储扩展到六维，有效提高光存储容量。

二、拟交易价格

协议转让：63.12万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，并与武汉智能装备工业技术研究院有限公司协商，双方同意以协议定价63.12万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2025年5月23日起至2025年6月6日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2025年5月23日