根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心陈炜老师团队的“一种钙钛矿薄膜的表面修饰方法等9项专利技术”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介
成果包含9项知识产权：
（1）发明专利：一种钙钛矿薄膜的表面修饰方法
发明人：陈炜
专利号：ZL201710974249.6
专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：发明公开了一种钙钛矿薄膜的表面修饰方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池中钙钛矿层存在缺陷多、电荷复合损失严重等问题，本发明提供了一种钙钛矿薄膜的表面修饰方法，包括如下步骤：(1)将表面修饰剂溶于惰性溶剂中，并配制成浓度为0.1～10mg/ml的表面修饰溶液，其中，表面修饰剂的分子结构式为：n＝1～8；(2)将表面修饰溶液旋涂于钙钛矿薄膜一侧表面，在60～150℃下干燥。本发明对钙钛矿薄膜上表面进行表面修饰，使得钙钛矿薄膜表面疏水，可有效屏蔽环境中的湿气对钙钛矿的侵蚀，大大延缓了钙钛矿薄膜的降解速度，进而有效提高制备的钙钛矿太阳能电池的稳定性。
（2）发明专利：高稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法
发明人：陈炜，朱红梅
专利号：ZL201810039344.1
专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：公开高稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法，高稳定性钙钛矿薄膜包括钙钛矿吸光层及由苯甲酰氰溶液修饰形成并包覆于钙钛矿吸光层外表面的疏水界面层；制备方法包括：将苯甲酰氰配制成表面修饰溶液；将钙钛矿薄膜浸泡于表面修饰溶液中30～1800秒，并在70～200℃下退火处理烘干。本发明对常规的钙钛矿薄膜进行浸泡式表面修饰，可钝化钙钛矿吸光层、改善钙钛矿吸光层的质量、减少钙钛矿吸光层的缺陷态密度，提高高稳定性钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率；且苯甲酰氰作为表面修饰材料，可使钙钛矿吸光层外表面形成疏水界面层，其有利于增强高稳定性钙钛矿薄膜的疏水性，进而提高制备的钙钛矿太阳能电池的稳定性。
（3）发明专利：一种有机空穴传输材料及其制备得到的钙钛矿太阳能电池
发明人：刘宗豪，陈炜，刘三万
专利号：ZL202211087336.7
专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：本发明涉及一种有机空穴传输材料及其制备得到的钙钛矿太阳能电池，有机空穴传输材料在衬底上的具有较强的锚定作用，能够改善钙钛矿埋底界面光电特性、机械性能以及调控界面能级，促进从钙钛矿层到空穴传输层的空穴传输效率，解决现有技术中电池界面稳定性不足、空穴传输效率低的问题。
（4）实用新型专利：钙钛矿太阳能电池的双层铋金属电极及钙钛矿太阳能电池
发明人：陈炜，刘宗豪，于鹏
专利号：ZL202221285459.7
专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：涉及用于钙钛矿太阳能电池的双层铋金属电极及钙钛矿太阳能电池，包括第一铋金属薄膜层及铺设于所述第一铋金属薄膜层一侧表面的第二铋金属薄膜层，基于本实用新型的用于钙钛矿太阳能电池的双层铋金属电极及钙钛矿太阳能电池，采用双层铋金属作为钙钛矿电池的金属电极，在不降低钙钛矿电池的光电转换效率的基础上，可有效降低金属电极对钙钛矿层的腐蚀，提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
（5）实用新型专利：一种钙钛矿/量子点叠层太阳能电池
发明人：陈炜，刘宗豪，蒋昭毅
专利号：ZL202222014094.0
专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：涉及一种钙钛矿/量子点叠层太阳能电池，包括从下向上依次层叠并串联设置的钙钛矿电池以及量子点电池，所述钙钛矿电池与所述量子点电池通过隧穿结连接或者机械堆叠，所述量子点电池中量子点光吸收层选自PbS层、PbSe层、PbTe层、PbS0.8Se0.2层、PbS0.8Te02层、CdS层、CdSe层、CdTe层、CdS0.8Se0.2层、CdS0.8Te0.2层、BiSe层、BiTe层、BiS0.8Se10.2层、BiS0.8Te0.2层或Pb0.9Bi0.1S0.8Se0.2层中一种。基于本实用新型的钙钛矿/量子点叠层太阳能电池，解决了现有的钙钛矿电池太阳能利用率低、电池整体效率低以及现有的钙钛矿叠层太阳能电池成本高的问题。
（6）实用新型专利：一种宽带隙钙钛矿/窄带隙钙钛矿/量子点三结叠层太阳能电池
发明人：陈炜，刘宗豪，蒋昭毅
专利号：ZL202222014092.1
专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：涉及一种宽带隙钙钛矿/窄带隙钙钛矿/量子点三结叠层太阳能电池，包括从下向上依次层叠并串联设置的宽带隙钙钛矿电池、窄带隙钙钛矿电池以及量子点电池，所述宽带隙钙钛矿电池与所述窄带隙钙钛矿电池通过第一隧穿结连接或者机械堆叠，所述窄带隙钙钛矿电池与所述量子点电池通过第二隧穿结连接或者通过机械堆叠。基于本实用新型的宽带隙钙钛矿/窄带隙钙钛矿/量子点三结叠层太阳能电池，解决了现有的钙钛矿电池太阳能利用率低，电池整体效率低的问题。
（7）发明专利申请：一种提高钙钛矿太阳能电池效率和稳定性的方法及钙钛矿太阳能电池
发明人：陈炜，刘宗豪，刘三万
申请号：CN202211087346.0
申请权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学
简介：涉及一种提高钙钛矿太阳能电池效率和稳定性的方法，先在电荷传输层上制备形成有机界面层，再在所述有机界面层上制备钙钛矿活性层，所述电荷传输层为无机p型半导体空穴传输层或者无机n型半导体电子传输层，所述有机界面层中的有机界面材料选自以下结构中的一种。基于本发明的方法解决现有技术中钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性差的问题。
（8）发明专利申请：FA1-xCsxPbBryI3-y钙钛矿薄膜的缺陷和应力调控剂、调控方法和应用
发明人：陈炜，刘宗豪，王佳楠
申请号：CN202310458050.3
申请权人：华中科技大学
简介：涉及一种用于调控FA1‑xCsxPbBryI3‑y钙钛矿薄膜缺陷和应力的高沸点砜类添加剂，具体调控生长方法包括：将高沸点砜类添加剂溶解于FA1‑xCsxPbBryI3‑y钙钛矿前驱体溶液中；然后将所得钙钛矿溶液涂覆在基板上，反溶剂萃取，得钙钛矿前驱体薄膜；再进行退火处理，即得改性钙钛矿薄膜。采用本发明所述高沸点砜类添加剂可有效避免δ相FAPbI3向α相FAPbI3转变过程中晶胞体积收缩带来的拉伸应力等问题，并进一步释放高温退火过程中的拉伸应力，有效降低薄膜体相缺陷态密度，抑制钙钛矿薄膜中的非辐射复合，显著提高钙钛矿太阳能电池的光伏性能；且涉及的调控方法简单、能耗较低，适合推广应用。
（9）发明专利：一种钙钛矿表面缺陷钝化材料及利用其制备的钙钛矿太阳能电池
发明人：陈炜，刘宗豪，陈锐
专利号：ZL202310433808.8
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种钙钛矿表面缺陷钝化材料，它为含氟碳官能团的苯乙胺氢碘酸盐衍生物，所述氟碳官能团为三氟甲基；将其用作设置在钙钛矿薄膜上的钙钛矿界面钝化层，可有效降低钙钛矿缺陷，同时抑制由钝化材料形成的二维钙钛矿离子向钙钛矿层渗透而产生非辐射复合等问题，实现钙钛矿太阳能电池更高效率和稳定性的同步提升；且涉及的制备方法较简单，操作方便，成本较低，可为高性能钙钛矿光伏器件的高效制备提供一条新思路。
二、拟交易价格
协议转让：63.61万元。
三、价格形成过程
学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，第（8）、（9）项专利以协议定价26.67万元转让给武汉智能装备工业技术研究院有限公司。第（1）、（2）、（3）、（4）、（5）、（6）、（7）项专利经全体发明人同意，并与共有权利人华中科技大学鄂州工业技术研究院协商，各方同意华中科技大学所占该成果的50%份额以协议定价36.94万元转让给武汉智能装备工业技术研究院有限公司。
特此公示，公示期15日，自2025年5月23日起至2025年6月6日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：尹老师、徐老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2025年5月23日
