根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校集成电路学院傅邱云老师团队的“基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含1项知识产权：

（1）发明专利：基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构

发明人：胡训博，叶钊，傅邱云，凌寒冰

专利号：ZL202110702629.0

专利权人：华中科技大学，深圳华中科技大学研究院

简介：本成果提出了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩（SOT）效应的磁子阀结构，旨在提升磁存储器件的写入效率并降低功耗。该结构采用拓扑绝缘体（如BiₓSb₁₋ₓ）作为SOT层，结合上下两层铁磁绝缘体与中间反铁磁或非铁磁层构成磁子阀单元，通过电流激发自旋轨道转矩实现磁矩翻转。器件可通过逆自旋霍尔电压变化实现数据的写入与读取。相较于传统SOT-MRAM，本结构具有自旋注入效率高、电流损耗小、非易失性强等优势，为开发高性能、低功耗的新型存储器件提供了创新路径。

二、拟交易价格

协议转让：32万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，并与共有权利人深圳华中科技大学研究院协商，各方同意华中科技大学所占该成果的80%份额以协议定价32万元转让给苏州宽温电子科技有限公司。

特此公示，公示期15日，自2025年5月22日起至2025年6月5日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2025年5月22日