根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校电气与电子工程学院梁琳老师团队的“一种方片半导体脉冲功率开关及其制备方法”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含1项知识产权：

（1）发明专利：一种方片半导体脉冲功率开关及其制备方法

发明人：梁琳，卿正恒

专利号：ZL202111191368.7

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种方片半导体脉冲功率开关及其制备方法，包括：（1）将n型Si芯片清洗干净后，采用激光在Si芯片的周边位置进行单面开第一槽，第一槽的形状为方形；（2）对开设有第一槽的Si芯片进行掺杂处理并形成pnpn结构；（3）在pnpn结构的阳极四周内边缘刻蚀第二槽；（4）在pnpn结构的阳极四周外边缘刻蚀第三槽；且第三槽的宽度大于第二槽的宽度，第三槽的深度大于第二槽的深度；（5）对开槽后的Si芯片进行保护；（6）根据需要将Si芯片切割成预设大小的方形后获得方片半导体脉冲功率开关。

二、拟交易价格

普通许可：8万元。

三、价格形成过程

经全体发明人同意，并与武汉脉冲芯电子科技有限公司协商，双方同意以8万元实施普通许可，许可期限为3年。

特此公示，公示期15日，自2026年9月22日起至2026年10月6日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2026年9月22日