根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校生命科学与技术学院谢庆国老师团队的“图像重建方法、装置、存储介质、生成方法以及成像系统等10项专利”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介
成果包含10项知识产权：
（1）发明专利：图像重建方法、装置、存储介质、生成方法以及成像系统
发明人：李鑫宇，李昂，母登云，黄晶
专利号：ZL202111426454.1
专利权人：湖北锐世数字医学影像科技有限公司、华中科技大学
简介：本发明涉及图像重建方法、装置、存储介质、生成方法以及成像系统。通过对DOI信息的利用，以构建面向不同需求场景的图像重建算法支撑，从而得到满足不同需求的重建图像，解决图像重建时内缩的问题。
（2）发明专利：一种高能射线探测器及探测方法
发明人：邱奥，谢庆国，凌怡清
专利号：ZL202311771632.3
专利权人：华中科技大学
简介：本发明涉及一种高能射线探测器及探测方法。本申请的探测器能够提供异质探测数据来得到高能量分辨率和高时间分辨率数据，从而可以在成像应用中提供更高的图像质量。
（3）发明专利申请：一种超导纳米探测器及高能射线的探测方法
发明人：邱奥，谢庆国，凌怡清
申请号：CN2023117717720
申请权人：华中科技大学
简介：本发明涉及一种超导纳米探测器及高能射线的探测方法。实现减少信号在闪烁晶体中的输运过程，减轻损耗和失真，可以得到更高的时间分辨率，并且可以更加准确地得到高能射线的沉积位置信息。
（4）发明专利：一种数字化pileup波形处理方法及系统
发明人：王希，谢庆国，肖鹏，陈源宝，刘晶晶
专利号：ZL201010617884.7
专利权人：华中科技大学、苏州瑞派宁科技有限公司
简介：本发明公开了一种数字化pileup波形处理方法及其系统。能有效甄别pileup脉冲波形，精确重建pileup中各个单次事件脉冲波形，准确恢复单次事件脉冲的能量、时间、幅值、衰减时间常数、位置等信息，提高系统在高活度下的计数率、测量结果的信噪比。
（5）发明专利：一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置
发明人：谢庆国，刘晶晶
专利号：ZL201010200478.0
专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司、华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置。该成像方法及装置能以较低的系统成本实现较高的系统性能，将系统性能提高了几倍到几十倍，节约系统建造成本，在被检测对象的感兴趣区域获取高质量图像。
（6）美国专利：一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置
发明人：谢庆国，刘晶晶
专利号：US8664611B2
专利权人：华中科技大学、苏州瑞派宁科技有限公司
简介：本发明公开了一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置。该成像方法及装置能以较低的系统成本实现较高的系统性能，将系统性能提高了几倍到几十倍，节约系统建造成本，在被检测对象的感兴趣区域获取高质量图像。
（7）非洲专利：一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置
发明人：谢庆国，刘晶晶
专利号：16170
专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司、华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置。该成像方法及装置能以较低的系统成本实现较高的系统性能，将系统性能提高了几倍到几十倍，节约系统建造成本，在被检测对象的感兴趣区域获取高质量图像。
（8）巴西专利：一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置
发明人：谢庆国，刘晶晶
专利号：BR112012031668-0
专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司、华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置。该成像方法及装置能以较低的系统成本实现较高的系统性能，将系统性能提高了几倍到几十倍，节约系统建造成本，在被检测对象的感兴趣区域获取高质量图像。
（9）日本专利：一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置
发明人：谢庆国，刘晶晶
专利号：特许第5791710号
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置。该成像方法及装置能以较低的系统成本实现较高的系统性能，将系统性能提高了几倍到几十倍，节约系统建造成本，在被检测对象的感兴趣区域获取高质量图像。
（10）欧洲专利：具有应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置
发明人：谢庆国，刘晶晶
专利号：EP2581043B1
专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司、华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置。该成像方法及装置能以较低的系统成本实现较高的系统性能，将系统性能提高了几倍到几十倍，节约系统建造成本，在被检测对象的感兴趣区域获取高质量图像。
二、拟交易价格
作价投资：10342万元。
三、价格形成过程
学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，并与合肥锐世数字科技有限公司协商，三方同意该成果以10342万元进行作价投资。
特此公示，公示期15日，自2026年9月4日起至2026年9月18日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：尹老师、徐老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2026年9月4日
