根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校电气与电子工程学院孔武斌老师团队的“高功率密度同步电机驱动控制技术研究”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介：
成果包含5项知识产权：
（1）发明专利：一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法
发明人：孔武斌，涂钧耀，刘恒阳
专利号：ZL202011109387.6
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法，属于电力电子电路技术领域。包括两组RC缓冲电路：用于减少上管Q1受到的串扰的Rbuffer1、Cbuffer1和用于减少下管Q2受到的串扰的Rbuffer2、Cbuffer2。通过合理配置Rbuffer、Cbuffer的值，一方面减小漏源电压变化率来抑制受到的正向串扰，另一方面需要控制住对源极电流变化率来限制受到的负向串扰。本发明提供了一种无源抑制碳化硅MOSFET桥臂串扰的方案，在不增加电路和控制复杂度的前提下，提高了碳化硅MOSFET桥臂工作的可靠性和安全性。
（2）发明专利：一种旋转高频注入法的估算位置误差补偿方法及系统
发明人：孔武斌，郝嘉睿，郑浩文，陈智
专利号：ZL202211160785.X
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种旋转高频注入法的估算位置误差补偿方法及系统，属于电机控制技术领域。通过旋转高频注入法得到的电机转子位置上，补偿逆变器非理想因素造成的相移大小和旋转高频注入法算法固有相移，得到实际输入电机闭环控制系统的转子位置。本发明通过提取注入高频电压产生的电流高频正序分量在高频同步旋转坐标系下的形式，能够方便的计算由于逆变器非理想因素造成的高频电流相移大小，补偿旋转高频注入法得到的转子位置的误差，使该误差趋近于零。
（3）发明专利申请：一种基于模型参数自修正的永磁同步电机预测电流控制方法及系统
发明人：孔武斌，王斐
申请号：CN202410297773.4
申请权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种基于模型参数自修正的永磁同步电机预测电流控制方法及系统。首先，在传统集成有扩展状态观测器的无差拍预测电流控制的基础上设计模型参数自修正模块。该模块与扩展状态观测器构成了一个以dq轴扰动观测值为控制对象，以模型参数为控制输入的闭环扰动控制系统。然后，根据dq轴扰动观测值关于模型参数的闭环传递函数为该系统设计PI控制率，以通过自动调节模型参数来控制dq轴扰动观测值收敛至零，从而间接地实现模型参数的自修正。本发明可以在无信号注入的条件下实现所有模型参数的在线自修正，保证了模型的实时准确性，有效地提升了永磁同步电机预测电流控制的性能，具有一定的实用价值。
（4）发明专利：一种高温宽禁带功率模块及其制备方法
发明人：王智强，吴云禅，张荣，辛国庆，时晓洁
专利号：ZL202311412601.9
专利权人：华中科技大学
简介：本发明提供了一种高温宽禁带功率模块及其制备方法。本发明的高温宽禁带功率模块，腔体内设有覆盖SiC功率芯片的Parylene‑HT薄膜层，在Parylene‑HT薄膜层表面设有无机薄膜层，无机薄膜层与Parylene‑HT薄膜层复合形成耐高温强绝缘的保型涂层；本发明所用的复合保型涂层热膨胀系数远低于有机硅凝胶，其厚度也远小于有机硅凝胶，使得高温下保型涂层引入的热机械应力远低于有机硅凝胶，延长了键合线寿命，提升了模块的工作稳定性；同时，本发明采用气密密封的方法对外壳密封，气密封装阻挡了外界的水氧和化学污染，缓解了保型涂层热降解的速率，使得保型涂层长期保持高温绝缘能力，进一步提升了模块的工作稳定性。
（5）发明专利：基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器
发明人：王智强，廖宇，辛国庆，时晓洁，康勇
专利号：ZL202310142336.0
专利权人：华中科技大学
简介：本发明涉及电子设备散热技术领域，且公开了基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器，包括功率模块，还包括散热基板、冷源装置和分流歧管；散热基板设置于功率模块上，散热基板远离功率模块一侧且位于功率模块发热区域的背面设置有微通道，用于承载功率模块并对功率模块进行散热。该基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器，可通过优化散热基板上的微通道，初步改变功率模块的局部散热性能，避免多热源系统散热温度均匀性差的情况发生，再通过分流歧管配合冷源装置，基于热源布局特点改变微通道内部冷流的流入位置及流出位置，能够进一步实现定向强化冷却效果，达到基于热点区域的定向强化冷却且散热效率高的效果。
二、拟交易价格
普通许可：500万元。
三、价格形成过程
经全体发明人同意，并与孚瑞肯电气（深圳）有限公司协商，双方同意以500万元实施普通许可，许可期限为5年。
特此公示，公示期15日，自2025年4月18日起至2025年5月2日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：尹老师、徐老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2025年4月18日
