根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校材料科学与工程学院张海波老师团队的“一种高储能密度介电复合多层薄膜及其制备方法等两项专利”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介：

成果包含2项知识产权：

（1）发明专利：一种高储能密度介电复合多层薄膜及其制备方法

发明人：张海波、范鹏元、莫辛·阿里·马瓦特、刘凯

专利号：ZL201911156235.9

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于薄膜材料领域，并公开了一种高储能密度介电复合多层薄膜及其制备方法。该复合多层薄膜包括：顶层、中间层和底层，其中，顶层和底层的材料均为PEI，中间层的材料为PVDF，该中间层中填充有Ag包覆的纳米BaTiO3颗粒，该复合多层薄膜在500～650MV/m的电场强度下最高达到20.6～21.3J/cm3的储能性能，储能效率最高达到80～82％。同时本发明还公开了该复合多层薄膜的制备方法。通过本发明，有效提高了电介质材料的储能密度、储能效率、击穿场强和温度稳定性。

（2）发明专利：一种三元共混的高储能聚合物基介电薄膜及其制备方法

发明人：张海波、刘凯、范鹏元、南博、谭划

专利号：ZL202011207594.5

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开一种三元共混的高储能聚合物基介电薄膜及其制备方法，该三元共混的高储能聚合物基介电薄膜是由聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯六氟丙烯和聚甲基丙烯酸甲酯共混、流延、淬火制成，聚甲基丙烯酸甲酯在介电薄膜中的质量百分数为30~50%，聚偏氟乙烯与聚偏氟乙烯六氟丙烯分子在介电薄膜中的质量比为x:(6‑x)，1.5<x<4.5。本发明通过控制介电薄膜的淬火温度和共聚物的质量比例，使得所形成的聚合物介电薄膜具有650～750kV/mm的击穿强度，最高达到18～25J/cm3的储能性能，储能效率最高达到75%～85%。与传统的聚合物基电介质材料相比，大幅度提高了击穿强度，改善了电介质电容器的储能特性。

二、拟交易价格

协议转让：55万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，评估价值为55万元。经全体发明人同意，并与东莞市普隆电子有限公司协商，双方同意以协议定价55万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2024年4月2日起至2024年4月16日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：谭老师、杨老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2024年4月2日