根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心夏金松老师团队的“薄膜铌酸锂电光调制芯片设计与制备方法”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介：

成果包含如下4项知识产权：

（1）发明专利：一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法

发明人：夏金松、刘宇恒、曾成

专利号：ZL201911279183.4

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种薄膜铌酸锂单偏振波导及其制备方法,属于集成光子学领域。该波导从上至下包括上包层、铌酸锂薄膜波导芯层、下包层和衬底层；所述铌酸锂薄膜波导芯层包括脊形波导和位于所述脊形波导两侧的槽形区域；脊形波导的宽度和刻蚀深度小于TM0模式存在截止值,脊形波导中的TM0模式与和所述槽形区域中的TE1模式发生交叉耦合；槽形区域的宽度取值使得从所述脊形波导中TM0模式耦合到两侧槽形区域的TE1模式与泄漏到槽形区域的TM0模式发生相干相长。通过优化微纳光波导结构的几何参数,获得仅支持TE0模式稳定传输的波导结构。本发明中的薄膜铌酸锂单偏振波导对光场的限制能力强,提高了器件的集成度,简化了工艺流程。

（2）发明专利：一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器

发明人：夏金松、胡畅然、曾成、瞿智成

专利号：ZL202110890825.5

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器,属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂,所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上,所述包层波导的材料为氮氧化硅,包层波导的截面呈现出圆顶凸字形。所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下,增大耦合器模斑尺寸,提升耦合器耦合效率。

（3）发明专利：基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片

发明人：曾成、李廷安、夏金松

专利号：ZL2023107468187

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片,属于电光调制技术领域,包括：在铌酸锂上刻蚀的波导结构及电极结构；所述波导结构包括：输入波导、光分束器、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、光合束器及输出波导；所述电极结构包括：GSG型平面电极及设在GSG型平面电极两侧内的容性负载行波电极,且所述容性负载行波电极对称排布在所述第一直波导和所述第二直波导两侧。本发明通过在两个调制直波导之后设置对应的弯曲波导结构以及容性负载行波电极,能够有效改善硅基薄膜铌酸锂电光调制器的阻抗匹配、降低射频反射、提升电光调制器的带宽,并显著降低制备工艺的难度。

（4）发明专利申请：一种基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器

发明人：夏金松、陶诗琦、曾成、袁帅

申请号：CN2021112552347

专利申请权人：华中科技大学

简介：本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器,属于外腔激光器领域,本发明提出了一种基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器,该外腔激光器包括半导体光放大器、窄带反射滤波芯片和输出光纤。半导体光放大器用于光放大；窄带反射滤波芯片基于薄膜铌酸锂材料构建,用于选出具有高边模抑制比的谐振峰；输出光纤用于输出激光。半导体光放大器和窄带反射滤波芯片组成光学谐振腔。本发明中的基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器不仅可实现高速线性调频激光可控输出,大幅度提高可调谐激光器的波长切换速率,而且结构简单紧凑,制备工艺简单,成本低廉。

二、拟交易价格

协议转让：165.7万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，评估价值为165.7万元。经全体发明人同意，并与武汉智能装备工业技术研究院有限公司协商，双方同意以协议定价165.7万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2024年1月5日起至2024年1月19日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：谭老师、杨老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2024年1月5日