根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对“一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极及其制备方法等28项专利”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介
该成果包含如下28项知识产权：
发明专利：一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极及其制备方法
发明人：屠国力、曹中欢、姜鹏飞、李夫、申九林
专利号：ZL201710366038.4
专利权人：华中科技大学
简介：通过在PI基底和金属叠层之间设置浸润层，保证了金属叠层以及金属网格在基底上的粘附性，金属网格粘附性良好，就保证了电极的低方块电阻，这样金属叠层可以做成超薄厚度，金属叠层厚度越薄，电极透光率越好。电极结构各层之间协同作用，最终使得PI基底电极透光率高、方块电阻低，而且与器件连接时，由于减反射层的设置，一方面增加了光透过率，同时也避免了器件短路的问题。
（2）发明专利：一种复合透明电极及包含此电极的有机太阳能电池
发明人：屠国力、史婷
专利号：ZL201310547707.X
专利权人：华中科技大学
简介：提出了一种超薄铝膜修饰方法，工艺简单，可在AZO沉积之后立即制备，无需任何表面处理，容易实现卷对卷连续生产，同时以此电极制备反式结构器件，避免了采用复杂的电极修饰层，简化了器件制备工艺。且AZO复合透明电极可通过调节超薄铝膜的厚度来改变其功函数，从而使其和有机材料能级匹配，更好地促进电子的传输和收集。以该AZO复合透明电极为底电极制备反式结构有机太阳能电池，避免了采用酸性的PEDOT:PSS和低功函的金属，可以提高器件的稳定性。
（3）发明专利：一种砜基含氟二胺化合物和聚酰亚胺薄膜材料及其制法
发明人：屠国力、姜鹏飞
专利号：ZL201210411961.2
专利权人：华中科技大学
简介：第一步先用强极性非质子有机溶剂将化合物2，2’-双(三氟甲基)-4，4’-二氨基苯基砜完全溶解于聚合反应容器中，再缓慢加入等摩尔量的二酐单体，控制反应液的固含量为10-70％，机械搅拌下反应1-48小时，得到透明、粘稠状的砜基含氟聚酰胺酸溶液；第二步将所得的砜基含氟聚酰胺酸溶液静置1-48小时待其中气泡消除后，在清洁的基板上涂膜、烘干、阶梯升温烘烤，然后自然冷却，脱膜得到的砜基含氟聚酰亚胺薄膜，即为柔性透明聚酰亚胺薄膜。该工艺合成路线简单，反应条件温和，反应原料来源方便，成本低，对环境污染程度低。且砜基含氟二胺结构中具有砜基、三氟甲基，在制备聚合物材料中可以提高材料的透光率，增加溶解性，降低材料的介电常数和吸水率，因此适用于制备柔性透明聚酰亚胺薄膜。
（4）发明专利：一种天然凝胶膜的制作设备
发明人：甘棕松
专利号：CN202123059015.X
专利权人：华中科技大学
简介：该制作设备依次包括粉碎仓、过滤仓、离心仓、搅拌仓和存储仓，利用粉碎仓对黄荆树的树叶进行粉碎，然后依次经过过滤仓、离心仓，获得凝胶膜的前驱液，在搅拌仓中向前驱液中加入小苏打，再经过存储仓中挡板与仓壁之间的空隙流入到存储仓内，以减少气泡的产生，最后利用旋涂机旋涂、静置后得到目标厚度的膜。该制作设备针对黄荆树原材料进行加工，直接对天然材料进行加工制备，而不是进行人造化学合成，因此获得的凝胶膜是天然凝胶膜，获得的凝胶膜可以天然降解。
（5）发明专利：一种微尺度三维细胞培养容器的激光制造设备
发明人：甘棕松
专利号：CN202123058088.7
专利权人：华中科技大学
简介：该制造设备依次包括粉碎仓、过滤仓、离心仓和搅拌仓，利用粉碎仓对黄荆树的树叶进行粉碎，然后依次经过过滤仓、离心仓，获得凝胶膜的前驱液，在搅拌仓中向前驱液中加入水溶性的光引发剂，最后利用旋涂机旋涂在载玻片或细胞培养容器内，可以用于进行细胞培养。该制造设备在此基础上还包括一条激发光路，用于提供激发光，对载玻片或细胞培养容器内的前驱液进行辐照，激光辐照的地方，前驱液性能发生改变，形成凝胶膜，而未被辐照的地方，则溶解于水中，因此，通过该激发光路进行三维点扫描，可以在载玻片或细胞培养容器内形成亚微米尺度的不同形状或图案的天然凝胶膜，来满足分区培养等需求。
发明专利：一种具有V型能带结构的锑硫硒薄膜的制备方法及其应用
发明人：唐江、卢岳、陈超、鲁帅成、李康华、李森
专利号：CN202011358662.8
专利权人：华中科技大学
简介：通过三步沉积，将酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒脲混合得到前驱体溶液，每一步中硒脲的加入量，使第二步中硒脲含量大于第一步和第三步，由此使沉积得到的第二层前驱体薄膜中S与Se的原子比小于第一层和第三层，从而最终得到具有V型能带结构的锑硫硒薄膜。目前的锑硫硒薄膜太阳能电池开路电压和短路电流相互限制，而采用上述方法得到的具有V型能带结构的锑硫硒薄膜制作的太阳能电池，能够实现开路电压和短路电流的协同提高从而获得更高的光电转换效率。并且，该薄膜中加入乙二胺四乙酸（EDTA），使得制备的锑硫硒薄膜晶粒大小均匀，表面粗糙度小，薄膜表面平整，有效抑制了锑硫硒薄膜太阳能电池载流子在界面的复合损失，进一步提高锑硫硒薄膜太阳能电池效率。
（7）发明专利：一种白光荧光粉及其制备方法和应用
发明人：唐江、谭智方、胡满琛、高亮、李京徽、牛广达、李宇轩
专利号：CN202010674835.0
专利权人：华中科技大学
简介：提供了一种白光荧光粉Cs2Sn1-xTexCl6(0.2≤x≤0.6)，制备时，根据Cs2Sn1-xTexCl6(0.2≤x≤0.6)中各金属元素的化学计量比准确称取原材料，将称好的原材料至于水热釜中，加入质量分数为5～50％的盐酸，使得原材料中的CsCl的浓度为0.8～1.2mol/L；将水热釜至于马弗炉中170～200℃，保温8～12小时；然后在缓慢降温18～20小时，至室温，得到的荧光粉体，最后研磨后得到单基质的Cs2Sn1-xTexCl6白光荧光粉。该白光荧光粉激发光谱宽300～450nm，其发光光谱宽中心波长575nm左右，半峰宽近200nm，可实现单基质白光。白光荧光粉发光强、效率高、热稳定性好，且制备工艺简单、成本低。
（8）发明专利：一种链状碘化物材料及其制备与应用
发明人：唐江、姚利、高亮、牛广达
专利号：ZL201910885926.6
专利权人：华中科技大学
简介：传统的碘化物大多数是基于单胺的有机分子或无机离子，该技术通过对其关键的有机分子进行筛选，选择链状二胺有机分子去诱导碘原子的线性排列，与现有材料相比具有接近于直线的碘链和有机链，可以得到完美的一维结构。具有强的结构各向异性，材料在光吸收，电传导，热传导方面会有强的各向异性性能，尤其适用于在偏振片、太阳能电池、各向异性传输和各向异性探测中应用，并且，不需要施加外电场，晶体能够自主形成链状。
（9）发明专利：CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池及其制备方法
发明人：唐江、刘雨昊、杨波、张慕懿
专利号：ZL201811517637.2
专利权人：华中科技大学
简介：以CuPbSbS3薄膜为薄膜太阳能电池中的吸光层材料，可推动低成本、高效率新型薄膜太阳能电池的发展；该CuPbSbS3材料具有本征P型、禁带宽度适中、介电常数与光吸收系数较大的特点，非常适合用于薄膜太阳能电池吸光层材料。并且，该制备方法还采用BDCA溶液法制备CuPbSbS3薄膜，并通过对CuPbSbS3薄膜制备方法的整体工艺流程设计、关键的制备工艺参数及条件(如CuPbSbS3前驱溶液的组成及配比，退火工艺所采用的具体退火温度等)进行控制，可确保得到高质量CuPbSbS3薄膜，从而可进一步确保CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池的光电转换效率。
（10）发明专利：一种锑硫硒合金薄膜的制备方法
发明人：唐江、鲁帅成、牛广达、赵洋、文西兴
专利号：ZL201811439917.6
专利权人：华中科技大学
简介：以硒化锑粉末作为第一蒸发源，以单质硫粉或硫化锑粉末作为第二蒸发源，在不同的温度区间进行加热蒸发，通过调节衬底和蒸发源温度、加热时间以及蒸发源和衬底之间的距离，沉积出不同厚度的锑硫硒合金薄膜；通过调节硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末的质量，制备出不同硒硫比且禁带宽度在1.17eV到1.7eV之间连续可调的的锑硫硒合金薄膜，拥有不同禁带宽度和能带位置，薄膜均匀性好，结晶性良好，可用于制备高质量的太阳能电池、光电探测器等光电器件，并且，制备工艺简单，对设备要求低，沉积速率快，生产成本低，具有适用于大规模工业化生产的前景。
发明专利：一种硒化锑薄膜太阳能电池背表面的钝化处理方法
发明人：唐江、文西兴、牛广达、胡青松、陈超、李康华、陈文浩
专利号：ZL201710405484.1
专利权人：华中科技大学
简介：采用ErCl3水溶液对硒化锑太阳能电池进行背表面钝化处理，Er离子能够对硒化锑薄膜表面缺陷和晶界缺陷进行钝化，填充硒化锑表面及晶界缺陷，能够有效的降低硒化锑表面与背电极之间的接触电势，增大背电极对光生载流子的收集效率，简单易行，能有效改善硒化锑电池的背接触特性，提高硒化锑电池的光电转换效率。
发明专利：氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
发明人：唐江、李康华、牛广达、王亮、李登兵、陈超、赵洋
专利号：ZL201710176171.3
专利权人：华中科技大学
简介：通过对硒化锑薄膜制备工艺中关键的基底种类及其内部结构等进行改进，能够在不改变硒化锑沉积温度的前提下，对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整，得到两类不同取向的硒化锑薄膜；并且，硒化锑薄膜的取向生长对于氧化锌基底的依赖远大于对于温度的依赖，能够在不依赖于硒化锑的沉积的基底温度的情况下，对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整；从侧面反映了硒化锑<221>、硒化锑<120>两者基于晶体生长动力学的竞争生长机制，为硒化锑薄膜晶体生长动力学的研究提供了新的实验证据。
（13）发明专利：一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法
发明人：唐江、赵洋、牛广达、王亮、李登兵、陈超、李康华
专利号：ZL201710169743.5
专利权人：华中科技大学
简介：通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面(即，远离该太阳能电池受光面的硒化锑薄膜表面)进行处理改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。
（14）发明专利：一种Sb2(Sex, S1‑x)3合金薄膜及其制备方法
发明人：唐江、秦思凯、刘新胜、杨波
专利号：ZL201410532910.4
专利权人：华中科技大学
简介：由Sb2(Sey,S1-y)3合金粉末作为蒸发源或者摩尔分数分别为z和1-z的Sb2Se3粉末和Sb2S3粉末混合作为蒸发源，将衬底和蒸发源放入真空度不低于10Pa的近空间升华装置中，分别加热衬底和蒸发源，在衬底上制得厚度小于或等于3μm的Sb2(Sex,S1-x)3合金薄膜，所述近空间升华法过程为：在衬底上形成Sb2(Sex,S1-x)3合金薄膜；解决了现有Sb2Se3和Sb2S3薄膜禁带宽度和能带位置固定的问题，实现禁带宽度和能带位置的连续可调，从而得到禁带宽度和能带位置更加合适的无机半导体材料。
（15）发明专利：一种对射式多焦点激光分离脆性透射材料方法及装置
发明人：段军、刘朋、邓磊敏、曾晓雁
专利号：ZL201610856457.1
专利权人：华中科技大学
简介：利用两套多焦点激光加工系统在脆性透射材料两侧同轴反向对射，使激光在脆性透射材料内，沿厚度光轴方向产生多个焦点，可切割分离更厚的脆性透射材料，可以大幅度改善激光分离脆性透射材料厚度方向对激光能量吸收不均匀的问题，从而大幅减小脆性透射材料沿厚度方向产生的热应力差别，改善激光分离切割质量，获得平整、陡峭、无崩边的切口端面，增加了材料切割轨迹的方向的可控性，使曲率很大的圆弧也可进行高质量安全切割分离。
（16）发明专利：一种激光多焦点动态加工方法及系统
发明人：段军、邓磊敏、刘朋、曾晓雁
专利号：CN201710570376.X
专利权人：华中科技大学
简介：通过将激光入射到待加工透明脆性材料的同光轴多个聚焦点沿光轴方向以一定的频率往返运动，使每个激光焦点沿透明材料厚度方向由静止的点加热方式转变为线性动态加热方式，从而获得采用较少的聚焦点起到较多的聚焦点相同的加热效果，还能减少激光能量损失，提高激光能量的利用率以及改善透明脆性材料沿厚度方向上受热的均匀性，实现更厚的透明脆性材料的高质量和高效率切割分离。
（17）发明专利：一种多焦点激光分离夹层玻璃方法及装置
发明人：段军、刘朋、邓磊敏、曾晓雁
专利号：ZL201610850924.X
专利权人：华中科技大学
简介：通过对夹层玻璃采用具有透射性的激光束，并使激光束产生多个焦点射入夹层玻璃，在夹层玻璃每层玻璃和胶合材料层中至少一个激光聚焦点；玻璃层和胶合材料层在激光聚焦点作用下分离，沿分离方向移动的多个激光聚焦点同时切割分离夹层玻璃的玻璃层和胶合材料层，使整个夹层玻璃同时被切割分离。无需对夹层玻璃的每层单独切割分离所需尺寸，再胶合形成夹层玻璃；而只需将大尺寸夹层玻璃直接切割分离至所需尺寸，简化了工艺流程，提高了生产效率，降低了生产成本，并利于实现机械化。避免了每层胶合时不能完全对齐带来的尺寸误差，提高了夹层玻璃的尺寸精度。
（18）发明专利：一种玻璃芯片封装方法
发明人：段军、张菲、熊伟、曾晓雁
专利号：ZL201610853817.2
专利权人：华中科技大学
简介：采用激光脉冲小于纳秒的皮秒和飞秒超短波脉冲激光，在焊接透明材料方面具有很多优点：首先，由于超短脉冲激光峰值功率密度极高，具有超强光强特性，在透明介质内会产生非线性吸收效应并在焦点处熔融，获得固定的损伤阈值，使得超快激光不同于连续和长脉冲激光只能加工对其波长不透明的介质表面，因而可以实现在透明材料空间内进行选择性微焊接；其次，超短脉冲激光作用透明介质因多光子吸收的阈值效应和激光光束的高斯特性，使得超短脉冲激光加工的结构尺寸可以突破光学衍射极限，实现小于激光波长的精密焊接。最重要的是，超短脉冲和材料相互作用时间极短，消除了脆性玻璃材料在长脉冲加工过程出现明显的因热扩散和热积累效果，继而产生热冲击波对脆性玻璃材料的热损伤的问题，有效避免了材料因不同热膨胀系数导致热应力产生裂纹和溅射物，焊接区域边缘平滑，因而提高了焊接封装的精度和质量。相比粘接等其它封装技术，该制作工艺简单，可方便无损地引出封装在玻璃内的芯片导电引线；且应用范围广，芯片厚度无限制，不需在焊接材料中间加入不同材质的填充物或中间层，可获得较高的焊缝强度和可靠性，具有密封性能优良和使用寿命长的优点。
（19）发明专利：一种多激光束合束焊接玻璃材料的装置
发明人：段军、陈航、张菲、曾晓雁
专利号：ZL201721778103.6
专利权人：华中科技大学
简介：由第一激光器发出的激光束经过第一扩束准直镜后再通过导光镜的反射进入合束镜，第二激光器发出的激光束经过第一扩束准直镜后也进入合束镜，二者合束至同一个光轴上，再经过扫描振镜和场扫描聚焦镜聚焦在待焊接的两块玻璃接触处，超快脉冲激光束在两块玻璃内产生非线性吸收效应使在焦点附近区域的玻璃材料熔融，而熔融的玻璃材料由于吸收率的改变对连续或长脉冲激光的吸收率显著增强，因而只要输入合适低能量、低峰值功率的连续或长脉冲激光功率就可直接与被熔融的材料相互作用，从而避免了低能量、低峰值功率和透射性的连续或长脉冲激光束不能与玻璃相互作用。紧接着通过吸收能量进一步熔融更多玻璃材料，来填充焊接间隙而不产生刻蚀效应，实现焦点区域的焊接；工控机控制扫描振镜或工作台移动，完成对玻璃材料的扫描焊接。
而达到能与玻璃产生相互作用阈值的高能量和高峰值功率又会使玻璃因吸收较激光能量过多，导致热量积累过大，引起透射玻璃材料过热膨胀而破裂的问题。另一方面，由于连续或长脉冲激光峰值功率密度较低，增加连续或长脉冲的激光输入能量只会扩大热效应，而不会产生刻蚀效应，因而可使玻璃材料的熔融量增加。被熔融的玻璃材料越多，填充到焊接间隙的熔融玻璃材料也越多，越有利于较大间隙的玻璃焊接，形成焊缝的强度和密封性能也越好。利用两维扫描振镜可快速移动复合激光束沿焊接轨迹实行扫描焊接，提高焊接效率。
（20）发明专利：一种适用于玻璃的焊接方法
发明人：段军、陈航、白克强、曾晓雁
专利号：ZL201810317514.8
专利权人：华中科技大学
简介：将第一样品放置于激光扫描振镜下方，并使激光焦点聚焦于第一样品的表面；将第二样品自然叠放于第一样品上，调整激光扫描振镜的位置以使激光焦点聚焦于第一样品与第二样品的接触处，其中，第二样品的材质为玻璃；在所述接触处设定扫描区域，超快脉冲激光束以预定的扫描间距及扫描轨迹反复振荡扫描所述扫描区域，以实现所述第一样品与所述第二样品之间的焊接。
该方法基于现有玻璃连接的工作特点，利用超快脉冲激光束超强光强特性，在透明介质内会产生非线性吸收效应而使玻璃在焦点附近区域的材料熔融，而扫描振镜的引入使得激光可以在一个小区域内快速反复地扫描，进而使激光作用材料再次接受激光照射时仍处于熔融状态，从而可以更好地再次吸收激光能量以扩大热影响区而形成更多的熔融物，由此形成一个小区域内稳定的熔池，且在激光反复振荡扫描下，由于产生的电磁效应、力学效应、热效应等会对移动范围内的熔池产生搅拌作用，熔池的搅拌翻腾过程会带来内部所产生的热压力的释放，以避免熔池内的物质向外喷溅，由此获得更多温和的熔融物来用以填充间隙，因此可以突破光学接触条件的壁垒，大幅度提升玻璃焊接间隙，有助于使超快激光焊接玻璃技术得到工程化应用，实用性较强，有利于推广应用。
（21）发明专利：一种复合激光焊接透明脆性材料的方法及装置
发明人：段军、白克强、陈航、曾晓雁
专利号：CN201810644709.3
专利权人：华中科技大学
简介：先将超快激光束聚焦在待焊接的两块透明脆性材料接触处，超快激光束在两块透明脆性材料接触处产生非线性吸收效应使焦点附近区域的透明脆性材料局部熔化，熔化后的材料经热扩散冷却后固化形成白色半透明的初始焊缝，以此实现初步焊接；然后将连续激光束聚焦在步骤S1形成的白色半透明的初始焊缝处，连续激光束使初始焊缝以及两块透明脆性材料在初步焊接时被烧蚀或破裂部分再次熔化，以修复超快激光束烧蚀损害的部分，熔化后的材料经热扩散冷却后固化形成最终焊缝。改方法通过利用超快激光实现初步焊接及利用连续激光实现最终焊接的两步焊接的方式，实现具有较大接触间隙的两块透明脆性材料的牢固焊接，具有焊接牢固可靠，适用范围广、工艺流程简单等优点。
（22）发明专利：一种复合激光焊接透明脆性材料的装置
发明人：段军、白克强、陈航、曾晓雁
专利号：ZL201820959314.8
专利权人：华中科技大学
简介：其中超快激光束发生模块包括位于同一光路中的依次设置的超快激光器、第一扩束准直镜、第一反射镜和超快激光扫描单元，由超快激光器发射的激光束经第一扩束准直镜扩束准直后再经第一反射镜反射至超快激光扫描单元中，然后经超快激光扫描单元聚焦至位于超快激光扫描单元下方的待焊接的两块透明脆性材料接触处进行初步焊接形成初始焊缝；而连续激光束发生模块包括位于同一光路中的依次设置的连续激光器、第二扩束准直镜、第二反射镜和连续激光扫描单元，由连续激光器发射的激光束经第二扩束准直镜扩束准直后再经第二反射镜反射至连续激光扫描单元中，然后经连续激光扫描单元聚焦至位于连续激光扫描单元下方的已初步焊接的两块透明脆性材料的初始焊缝处进行最终焊接。该装置通过超快激光束发生模块和连续激光束发生模块以利用超快激光实现初步焊接及利用连续激光实现最终焊接，进而实现具有较大接触间隙的两块透明脆性材料的牢固焊接，具有焊接牢固可靠，适用范围广等优点。
（23）发明专利：一种激光金属表面除污或抗腐防锈装置及方法
发明人：段军、侯国祥、邓磊敏、陈乔丹
专利号：CN201910247267.3
专利权人：华中科技大学
简介：用激光束对待处理金属工件进行激光扫描，使该待处理金属工件局部升温以去除待处理金属工件表面的油污和金属锈层；或者，是利用激光束对清洁的待处理金属工件进行激光扫描，使该待处理金属工件局部升温并产生氧化物层，从而实现对待处理金属工件的抗腐防锈处理。该方法通过高能量激光束辐射到金属材料表面，可以去除金属表面油污和锈层，并在金属表面氧化生成致密氧化膜，可有效地保护金属内部不受氧化，起到抗腐防锈功能，延长使用寿命。
（24）发明专利：一种激光金属表面除污或抗腐防锈装置
发明人：段军、侯国祥、邓磊敏、陈乔丹
专利号：ZL201920414590.0
专利权人：华中科技大学
简介：包括激光发射组件、扫描聚焦组件及两维工作台，其中，两维工作台用于放置待处理金属工件，激光发射组件用于发射激光束，该激光束经过扫描聚焦组件聚焦到待处理金属工件上，并对该待处理金属工件进行激光扫描，使该待处理金属工件局部升温以去除待处理金属工件表面的油污和金属锈层，或者使该待处理金属工件局部升温并产生氧化物层，从而实现对待处理金属工件的金属表面除污或抗腐防锈处理。基于一种新的激光抗腐防锈原理，并通过对装置内关键的装置各个细节组件的构成、方法所采用的处理手段等进行改进，与现有技术相比能够有效解决金属材料化学抗腐防锈处理对环境的污染大、废液废气处理工艺成本高的问题。改技术通过对装置内关键的装置各个细节组件的构成、方法所采用的处理手段等进行改进，与现有技术相比能够有效解决金属材料化学抗腐防锈处理对环境的污染大、废液废气处理工艺成本高的问题。
（25）发明专利：基于反射光谱测量的皮肤生理参数与光学特性参数的测量方法
发明人：朱䒟、骆清铭、闻翔
专利号：ZL201010525672.6
专利权人：华中科技大学
简介：通过实验数据和蒙特卡罗模拟相结合的分析方法提供更加精确的反射光强与皮肤光学特性参数的对应数据，在实际测量样本皮肤时以实际测量反射光谱为基础，通过该数据与多个生理参数进行计算拟合以得到基于反射光谱测量的皮肤生理参数与光学特性参数，最终以非侵入的方式无损、实时测量皮肤吸收系数μa和约化散射系数μs’等光学特性参数以及黑色素含量，脱氧血红蛋白、含氧血红蛋白含量，水分含量等生理信息，打破了皮肤光学特性参数测量的局限性。
（26）发明专利：一种提高硬盘可靠性的方法
发明人：吴非、谢长生、周建、李想
专利号：ZL201410024967.3
专利权人：华中科技大学
简介：对存储系统的采取模糊控制的方法，在采样点处得到温度、性能、运行时间和功耗这四个参数的具体值，计算其在每个采样点处各自对应的隶属值。相对于精确控制，采用模糊控制不仅大大减少了存储系统的计算量，还避免了在精确控制下容易经常出现的不符合要求的状态，使存储系统更容易进入稳定状态。通过对聚合值多次聚合，使存储系统的可靠性这样一个抽象的概念通过一个数值直观的表达出来。通过反复调整磁盘阵列的大小，找到最终值最大的磁盘阵列。系统可靠性的比较转为最终值大小的比较，这样能够更容易地找到可靠性最高的磁盘阵列。
（27）发明专利：一种基于多目标决策提高硬盘可靠性的方法
发明人：吴非、谢长生、周建、李想
专利号：ZL201410031903.6
专利权人：华中科技大学
简介：通过根据用户的需求对目标设置不同的目标系数。对温度、性能、运行时间和功耗这四个目标，用户对需要优先考虑的目标可以设置其目标系数为对应隶属值的最大值，对优先级一般的目标，可以设置其目标系数为对应隶属值的平均值,对最不侧重的目标，可以设置其目标系数为对应隶属值的最小值。将按要求得到的温度，性能，运行时间和功耗这四个目标系数相加。通过设置不同的目标系数，用户可以得到最符合期望的存储系统状态。通过多次调整磁盘阵列，根据最终结果找到最符合用户期望的磁盘阵列。然后反复调整磁盘阵列的大小，找到聚合值最大的磁盘阵列。用户的期望程度与聚合值的大小相对应，这样能够更容易地找到最符合用户需求的磁盘阵列。
（28）发明专利：一种利用SSD的无效数据优化RAID5/6写性能的方法
发明人：谢长生、万继光
专利号：ZL201310612211.6
专利权人：华中科技大学
简介：应用在一种包括1个或多个SSD和多个磁盘组成的RAID5/6系统中，其中SSD作为RAID5/6的读写缓存，解决传统RAID5/6系统在小写过程中性能不佳的技术问题。利用到了SSD中的无效数据，减少了写RAID5/6时校验操作的读磁盘次数，从而减轻磁盘负荷。并且由于SSD的读性能要远优于磁盘，所以该方法从SSD读取用于计算校验的数据能提升RAID5/6的写性能。
二、拟交易价格
作价投资：1000.18万元
三、价格形成过程
学校委托开元资产评估有限公司对该成果进行资产评估，评估价值为人民币1000.18万元。经全体发明人同意，并与其他出资方协商，各方同意该成果以协议定价1000.18万元作价投资。
特此公示，公示期15日，自2021年12月10日起至2021年12月24日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：曹老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2021年12月10日
