根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对“片式敏感电阻”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介：
该成果包含如下13项知识产权：
（1）发明专利：一种低温烧结叠层片式钛酸钡热敏陶瓷的制备方法
发明人：傅邱云,周东祥,胡云香,郑志平,罗为,赵俊,祖昊
专利号：ZL201310570899.6
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种低温烧结叠层片式钛酸钡热敏陶瓷的制备方法，钛酸钡陶瓷材料的化学组成通式为：(Ba1-xLax)1.005TiO3，其中1‰≤x≤10‰。该方法通过溶胶凝胶法制备的掺镧的纳米钛酸钡粉体，经流延成型、切片、排胶，然后通过还原再氧化烧结制得PTC热敏电阻器。该方法采用溶胶凝胶法制备纳米或亚微米原料粉体，并在制备粉体的过程中同时引入微量掺杂的纳米半导化元素等，并采用还原再氧化的工艺制备陶瓷元件；目的在于实现分子级微量元素的均匀掺杂，在制备出细晶陶瓷的同时降低材料电阻率，制备得到晶粒细小、室温电阻率低并具有较大升阻比的PTC热敏陶瓷；本发明还可以降低陶瓷的烧结温度，改善陶瓷与电极的收缩匹配性能。
（2）发明专利：ZnO Multilayer chip varistor with base mental inner electrodes and preparation method thereof
发明人：傅邱云,周东祥,胡云香,郑志平,罗为,陈涛
专利号：US 2015/0145638A1
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明具有以下有益效果：（1）本发明所使用的ZnO压敏电阻材料配方适用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属Ni为内电极，可以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性完成，适用于大规模生产；（4）本发明方法所制备出的多层片式压敏电阻器非线性系数可达到30以上，压敏电压小于20V，尺寸可以是英制片式电阻封装尺寸0805、0603、0402和0201。
（3）发明专利：一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法
发明人：傅邱云,周东祥,胡云香,郑志平,罗为,陈涛
专利号：ZL201310594610.4
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明具有以下有益效果：（1）本发明所使用的ZnO压敏电阻材料配方适用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属Ni为内电极，可以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性完成，适用于大规模生产；（4）本发明方法所制备出的多层片式压敏电阻器非线性系数可达到30以上，压敏电压小于20V，尺寸可以是英制片式电阻封装尺寸0805、0603、0402和0201。
（4）发明专利：Laminated Chip Composite Resistor Combining Thermistor and Varistor and Preparation Method Thereof
发明人：傅邱云,周东祥,胡云香,郑志平,罗为,陈涛
专利号：US2015/0145639A1
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种叠层片式热压敏复合电阻器及其制备方法，复合电阻器由压敏电阻部分、中间过渡层部分及热敏电阻部分叠加组成，压敏电阻部分的结构为压敏电阻瓷片——第一电极层——压敏电阻瓷片——第二电极层的交叠层压组合，第一电极层与第二电极层分别错开；热敏电阻部分的结构为：热敏电阻瓷片——第三电极层——热敏电阻瓷片——第四电极层的交叠层压组合，第三电极层与第四电极层分别错开，中间过渡层部分位于热敏电阻部分与压敏电阻部分的中间。本发明采用贱金属镍为内电极的共烧技术，可降低成本、简化制备工艺，提高器件的可靠性，减少热传导路径，加强热敏器件对压敏电阻的保护作用，同时可以实现电路的过热过电流过电压等多重保护。
（5）发明专利：一种叠层片式热压敏复合电阻器及其制备方法
发明人：傅邱云,周东祥,胡云香,郑志平,罗为,陈涛
专利号：ZL201310601977.4
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种叠层片式热压敏复合电阻器及其制备方法，复合电阻器由压敏电阻部分、中间过渡层部分及热敏电阻部分叠加组成，压敏电阻部分的结构为压敏电阻瓷片——第一电极层——压敏电阻瓷片——第二电极层的交叠层压组合，第一电极层与第二电极层分别错开；热敏电阻部分的结构为：热敏电阻瓷片——第三电极层——热敏电阻瓷片——第四电极层的交叠层压组合，第三电极层与第四电极层分别错开，中间过渡层部分位于热敏电阻部分与压敏电阻部分的中间。本发明采用贱金属镍为内电极的共烧技术，可降低成本、简化制备工艺，提高器件的可靠性，减少热传导路径，加强热敏器件对压敏电阻的保护作用，同时可以实现电路的过热过电流过电压等多重保护。
（6）发明专利：多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用
发明人：傅邱云,王文化,周东祥,刘欢,胡云香,郑志平,罗为
专利号：ZL201410326754.6
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用。该浆料包括Ni-ZnO复合粉体和有机粘合剂，其中，Ni-ZnO复合粉体的质量百分比为70～80％，有机粘合剂的质量百分比为20～30％；Ni-ZnO复合粉体为ZnO包裹的Ni粉。该方法包括如下步骤：制备Ni-ZnO复合粉体；将质量百分比为70～80％的Ni-ZnO复合粉体和质量百分比为20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得到导电浆料。本发明以Ni-ZnO复合粉体为导电相，采用溶液法合成Ni-ZnO复合粉体，提高了内电极的抗氧化性能，改善了电极与陶瓷的共烧匹配性，且工艺简单，成本低，具有广泛的应用前景。
（7）发明专利：一种制备细晶钛酸钡热敏陶瓷的方法及其产品
发明人：傅邱云,周东祥,郑志平,胡云香,罗为,高超
专利号：ZL201510579678.4
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种制备细晶钛酸钡热敏陶瓷的方法及其产品，其属于电子陶瓷元件领域。方法包括：S1将纳米钛酸钡热敏粉体、施主粉体、受主粉体以及助烧剂BN执行混合，纳米钛酸钡热敏粉体的粒径为20nm～500nm；S2将原料粉体制备成片式叠层生坯并排胶，获得待烧结坯体；S3对待烧结坯体执行烧结，先在950℃～1100℃保温5min～30min，接着将温度调节至900℃～1000℃并保温30min～12h，获得钛酸钡成型陶瓷；S4在600℃～850℃温度范围内，对钛酸钡成型陶瓷执行再氧化。本发明方法制得的钛酸钡细晶热敏陶瓷平均晶粒可以在120nm～800nm内调控，致密度可以在80％～95％内调控，室温电阻率低，还具有较大的升阻比。
（8）发明专利：一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法
发明人：傅邱云,陈涛,周东祥,胡云香,郑志平,罗为
专利号：ZL201510598234.5
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法。压敏电阻器由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。本发明采用贱金属Ni作为内电极，同时能防止Ni电极氧化，并有效抑制ZnO及其他添加物在还原气氛中被还原，促进ZnO在烧结过程中成瓷，压敏电阻器具备良好的非线性，制作成本低，适于大规模生产。
（9）发明专利：一种宽温区负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法
发明人：傅邱云,周东祥
专利号：ZL201810346749.X
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种宽温区负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，其中负温度系数热敏陶瓷材料的原材料组成包括BaTiO3、TiO2、M1O、M2O、M3O、M4O以及M5O，M1为Sm、Nd、Y、La、以及Nb中至少1种元素；M2为Si、Al、以及Ti中的至少2种元素；M3为Sr、以及Pb中的至少1种元素与Ca元素的组合；M4为Sb、以及Bi中的至少1种元素；M5为Na、K、以及Li中的至少1种元素。本发明通过对陶瓷材料关键的组成成分，相应制备方法的整体流程工艺、各个反应步骤的条件参数进行改进和进一步优选，通过对钛酸钡基半导体热敏陶瓷进行掺杂改性，能够获得钛酸钡基、测量温区达300度以上的宽温区NTC热敏陶瓷材料。
（10）发明专利：一种具有高温度系数的热敏陶瓷材料及其制备方法
发明人：傅邱云,周东祥,严亮
专利号：ZL201811135337.8
专利权人：华中科技大学
简介：本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域，更具体地，涉及一种具有高的正温度系数的热敏陶瓷材料及其制备方法。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为(Ca,其中Q为碱金属元素Na或K，x取值范围为0.01‑0.06，y取值范围为0.01‑0.2。本发明方法制得的钛酸钡热敏陶瓷具有较高的温度系数，开关温度可以调节，温度系数(α)大于30％。
（11）发明专利：一种负温度系数的热敏材料及其制备方法
发明人：傅邱云,邹小华,周东祥,郑志平,罗为
专利号：ZL201910145180.5
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种负温度系数的热敏材料及其制备方法，其中该材料具体是属于Mn‑Co‑Ni‑O体系的负温度系数热敏材料，该材料中同时掺杂有铜元素和钙元素。本发明通过钙铜共掺杂的方法得到相应的负温度系数的热敏材料，尤其是负温度系数的热敏薄膜(例如，可以通过金属有机物热分解法来制备NTC热敏薄膜)，进行不同的钙掺杂来降低薄膜热敏电阻的老化率，提升稳定性能。
（12）发明专利：一种负温度系数热敏薄膜的制备方法
发明人：傅邱云,李睿锋,周东祥,郑志平,罗为
专利号：ZL201910145223.X
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种负温度系数热敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)热敏薄膜制备：采用磁控溅射法将Mn‑Co‑Ni系合金靶材溅射到衬底上得到Mn‑Co‑Ni系薄膜；(3)退火处理：将Mn‑Co‑Ni系薄膜在含有氧气的气氛下进行退火氧化处理，即可得到Mn‑Co‑Ni‑O系负温度系数热敏薄膜。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计，尤其是关键溅射工艺所采用的靶材料进行改进，以Mn‑Co‑Ni系合金作为靶材，与现有技术相比能够有效解决磁控溅射法制备热敏薄膜时陶瓷靶材容易碎裂、利用率低的问题，制备方法操作简单，容易实现，重复性好。
（13）发明专利：一种低阻热敏陶瓷材料及其制备方法与应用
发明人：傅邱云,严亮,周东祥
专利号：ZL201910153087.9
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种低阻热敏陶瓷材料及制备方法与应用，属于电子陶瓷元件技术领域。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为((Bi0.5Q0.5)xBam x)TiO3；其中Q为碱金属元素Na或K；其中m的取值范围为1≤m≤1.007，x的取值范围为0.001≤x≤0.007。制备方法为将钛酸铋钠或钛酸铋钾陶瓷粉末与碳酸钡粉末、二氧化钛粉混合后进行煅烧，再依次通过流延、叠片、压片和切片，得到成型生坯；将成型生坯在温度大于等于280℃条件下分解流延过程中混入的有机物，再在还原气氛中煅烧，得到陶瓷块体；再将陶瓷块体再在含氧气氛中煅烧。本发明方法制得的片式钛酸钡基热敏陶瓷具有极低的室温电阻率，较高的升阻比，较高的温度系数。
二、拟交易价格
作价投资：1000万元
三、价格形成过程
学校委托武汉中康正资产评估有限公司对该成果进行资产评估，评估价值为人民币999.65万元。经全体发明人同意，并与其他出资方协商，各方同意该成果以协议定价1000万元作价投资。
特此公示，公示期15日，自2021年11月15日起至2021年11月29日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我办反映。
联系人：曹攀辉
联系电话：87558732
科学技术发展院
2021年11月15日
