根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对“闪存特性测试方法及测试装置”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介：
该成果包含如下12项知识产权：
（1）发明专利：一种SSD内实现的闪存寿命预测方法
发明人：刘政林，周新，鲁赵骏，张海春
专利号：ZL201811514746.9
专利权人：华中科技大学
简介：本发明通过实时采集每次SSD操作的数据作为预测和训练的输入，更加贴合实际SSD上的闪存使用情况，得出的预测结果更加准确。
（2）发明专利：一种闪存接口控制方法及装置
发明人：霍文捷，刘政林，刘柏均
专利号：ZL201510918453.7
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种闪存接口控制方法，还提出了一种与上述方法对应的装置。通过以上软硬件协同工作的方式，仅用简单的硬件，实现了复杂多样的闪存命令，显著提高了相关设备的竞争力。
（3）发明专利：一种闪存器件的软信息提取方法
发明人：霍文捷，刘政林，李妙心，张文卿
专利号：ZL201510675524.5
专利权人：华中科技大学
简介：本发明所提出的方法不仅不依赖于闪存内部的特殊命令，而且可以方便地集成进自主闪存控制器中，与LDPC纠错模块相配合，实现对先进工艺闪存器件的高强度纠错，满足固态存储对先进工艺闪存器件数据纠错的需求。
（4）专利申请权：一种自适应的存储设备损耗均衡方法及系统
发明人：刘政林，潘玉茜，李腾飞，林羽盛
申请号：201911027908.0
申请人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种自适应的存储装置损耗均衡方法及装置，属于计算机技术领域，本发明充分考虑了存储单元的擦写次数，延长了存储设备可靠工作的时间。
（5）专利申请权：一种基于寿命预测的存储系统损耗均衡方法及装置
发明人：刘政林，潘玉茜，王志强，齐明阳
申请号：201910950724.5
申请人：华中科技大学
简介：本发明公开一种基于寿命预测的存储系统损耗均衡方法及装置；本发明真实反映存储单元可使用状态，提高存储单元后期的利用率，延长存储系统的使用寿命。
（6）专利申请权：一种应用于损耗均衡的存储单元质量度量方法
发明人：刘政林，潘玉茜，陈卓，文思诚
申请号：201910807106.5
申请人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用于损耗均衡的存储单元质量度量方法，能够大幅提高质量度量结果的准确度，从而提高存储系统损耗均衡执行效率并延长存储系统的使用寿命。
（7）专利申请权：一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法
发明人：刘政林，陈卓，鲁赵骏，张海春
申请号：201811547901.7
申请人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法，可以预测闪存的剩余使用寿命，让闪存存储设备使用者在使用设备期间了解存储器的损耗状态，避免因存储器单元失效而造成的数据流失。
（8）发明专利：一种基于决策树算法的闪存寿命预测方法及系统
发明人：刘政林，李腾飞，张浩明，潘玉茜，李四林
专利号：ZL201811544548.7
专利权人：武汉忆数存储技术有限公司，华中科技大学
简介：本发明涉及一种基于决策树算法的闪存寿命预测方法及系统，由决策树算法计算得到闪存寿命的预测值。本发明具有在相对短的时间内能够对大型数据源做出可行且效果良好的结果的优点。
（9）专利申请权：一种基于深度学习的闪存寿命预测方法、系统及计算机可读存取介质
发明人：刘政林，王志强，潘玉茜，张浩明，李四林
申请号：201811545446.7
申请人：武汉忆数存储技术有限公司，华中科技大学
简介：本发明涉及一种基于深度学习的闪存寿命预测方法、系统及计算机可读存取介质。使用权值共享网络结构减少了训练参数和计算复杂度，提高了泛化性能，循环卷积神经网络还能处理序列数据，更好的预测闪存寿命。
（10）专利申请权：一种基于错误模式的闪存寿命测试方法
发明人：刘政林，李腾飞，李四林
申请号：201810501831.5
申请人：武汉忆数存储技术有限公司，华中科技大学
简介：本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点，采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形，加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷，从而实现快速的闪存检测。
（11）专利申请权：一种不同封装闪存芯片在线测试和分类方法及测试系统
发明人：刘政林，王志强，李四林
申请号：201810503034.0
申请人：武汉忆数存储技术有限公司，华中科技大学
简介：本发明针对不同类型的闪存芯片，采用相应测试图形(pattern)进行测试，实现对不同封装、不同型号的闪存芯片的测试；且通过对闪存芯片存储块进行分级，根据存储块的分级实现对闪存芯片的分级，获得更准确，更贴合实际数据的闪存芯片分类方法。
（12）专利申请权：一种参数可配置的动态BCH纠错方法及装置
发明人：刘政林，王宇，潘玉茜，李四林
申请号：201810125124.0
申请人：武汉忆数存储技术有限公司，华中科技大学
简介：本发明涉及一种参数可配置的动态BCH纠错方法及装置，固件可根据不同Page具体的P/E周期数，结合其实际出错比例，在保证可靠性的前提下尽可能提高Flash读写性能。
二、拟交易价格
协议转让：50万元
三、价格形成过程
学校委托武汉中康正资产评估有限公司对该项目进行资产评估，评估价值为49.68万元。该项目所包含12项知识产权中前7项为学校独立所有；第8项至第12项为学校与武汉忆数存储技术有限公司共有，其中学校所占权属均为1/2。经各方协商，同意以协议定价50万元将学校所占权属转让给置富科技(深圳)股份有限公司。
特此公示，公示期15日，自2021年4月2日起至2021年4月16日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：臧老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2021年4月2日
