Cinque Terre

成果转化公示

首页 - 成果转化公示 - 正文

科技成果转化公示〔2026〕11号—具有高电光系数的锆钛酸铅复合薄膜及其制备方法

来源:    作者:    发布时间:2026-03-17    阅读量:


根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定,对我校集成电路学院董文老师团队的“具有高电光系数的锆钛酸铅复合薄膜及其制备方法”成果转化相关事项公示如下:

一、成果名称及简介

成果包含1项知识产权:

(1)发明专利:具有高电光系数的锆钛酸铅复合薄膜及其制备方法及电光调制器

发明人:董文

申请号:CN202511201471.3

申请权人:华中科技大学

简介:本申请提供了一种具有高电光系数的锆钛酸铅复合薄膜及其制备方法及电光调制器,锆钛酸铅复合薄膜包括依次层叠设置的绝缘衬底、缓冲层以及铁电主体层,所述缓冲层为镧掺杂的锆钛酸铅薄膜,所述铁电主体层为锆钛酸铅薄膜且具有(001)/(100)取向。复合薄膜具备较高的电光系数、较低的驱动电压和较高的热稳定性。

二、拟交易价格

协议转让:25万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估,基于评估价参考,经全体发明人同意,并与唐山壹润商务服务有限公司协商,双方同意以协议定价25万元实施转让。

特此公示,公示期15日,自2026年3月17日起至2026年3月31日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人:尹老师、庄老师

联系电话:87558732

科学技术发展院

2026年3月17日

©版权所有:华中科技大学科学技术发展院

地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号南三楼109、110,南一楼西楼102,东一楼340 邮政编码:430074 Tel:027-87543315 027-87558732 027-87559760 mail:iat@hust.edu.cn