根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校国家脉冲强磁场科学中心宋运兴老师团队的“一种超导磁体系统及其失超保护电路等3项专利”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含3项知识产权：

（1）发明专利：超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法

发明人：宋运兴，黎江蓝

专利号：ZL202510582903.3

专利权人：华中科技大学

简介：本申请属于超导磁体技术领域，具体公开了超椭圆曲线结构的超导线圈、超导磁体系统及其设计方法。通过本申请，采用超椭圆曲线替代传统直边段，使整个线圈均为有限曲率，能够在绕线和加固过程中有效的对导线和加固材料施加张力，线圈在绕制张力和加固材料的共同作用下，其力学结构更加稳定，强磁场环境下的抗变形能力显著增强。通过超椭圆曲线优化线圈结构，能够在保证孔径大小与磁场强度的同时，提升线圈的机械稳定性、减少应力集中现象并降低制造成本，使得超导磁体系统在提高磁场强度的同时，具备更优的机械稳定性和更低的制造成本，可广泛应用于立环式磁选机、风力发电机等领域，并为其他需要大孔径强磁场的应用场景提供新的技术支持。

（2）发明专利：一种超导磁体系统及其失超保护电路

发明人：宋运兴，李亮

专利号：ZL202110163248.X

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种超导磁体系统及其失超保护电路，失超保护电路包括：超导单元、第一二极管集成组件、第二二极管集成组件、第三二极管集成组件、低温超导开关、热辐射层和真空层；超导单元由M个串联连接的超导线圈组成，低温超导开关的一端与第一超导线圈的非串联连接端连接，另一端与第M超导线圈的非串联连接端连接；第一二极管集成组件与低温超导开关并联连接；热辐射层和第二二极管集成组件串联后再并联连接在超导单元中任意对称线圈子集两端。真空层和第三二极管集成组件串联后再并联连接在超导单元任一对称线圈子集两端。本发明利用热辐射层和真空层来保护超导磁体系统免于在失超期间发生损害、减少超导磁体的冷却时间和液氦损耗。

（3）发明专利：一种高温超导电流引线和超导磁体系统

发明人：宋运兴，黎江蓝，程志文

专利号：ZL202411781027.9

专利权人：华中科技大学

简介：本申请属于超导磁体系统的高温超导电流引线领域，具体公开了一种高温超导电流引线和超导磁体系统。通过本申请，新增的盖板和底板，将高温超导带材固定在中间并形成紧密贴合，使其在装配、运输、安装、降温、励磁等过程中受到的外力能够转移到加固结构上，从而消除高温超导带材上的应力集中和形变，能在兼顾引线热学性能与电学性能的同时，消除引线由于剪切应力和剥离应力受到力学损伤的可能性。

二、拟交易价格

协议转让：60万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，并与武汉超磁科技有限公司协商，双方同意以协议定价60万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2026年9月2日起至2026年9月16日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2026年9月2日