根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校机械科学与工程学院许剑锋老师团队的“硅光电探测器制备和应用方法”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含2项知识产权：

（1）发明专利：一种基于光学性能调制的电离辐射检测方法及系统

发明人：许剑锋，王宇黎，李颖洁

专利号：ZL201810497329.1

专利权人：华中科技大学

简介：本发明提出了一种全新的γ光子探测方案，在传统闪烁—光电分离读出方式之外，采用电光晶体作为感光介质，将持续泵浦的光场注入晶体内部。当电离辐射产生的载流子改变晶体的局部电场分布时，瞬时折射率变化会引起干涉条纹的位移，通过高速光电探测器阵列即可实时读取这一微小相位变化。该方法摒弃了闪烁过程中的能量热化与载流子迁移延迟，实现了亚飞秒—皮秒级时间分辨，有望显著提升TOF-PET、核物理实验和空间辐射监测的测速精度与计数率。

（2）发明专利：一种硅雪崩光电探测芯片及其制备方法

发明人：汪学方，许剑锋，杨玉怀，张贻政，陆栩杰，任振洲

专利号：ZL201811581513.0

专利权人：华中科技大学

简介：本发明针对现有SiPM暗计数率高、光电转换效率与器件带宽难以兼得的问题，创新性地在SOI晶圆上集成环形波导耦合与横向雪崩区结构，并引入Ge量子点吸收区。通过多区离子注入工艺形成高增益倍增区，同时利用微环波导高效耦合入射光，显著降低器件暗电流（降幅≥50%）并提升光电转换效率（PDE≥65%）。该芯片兼容标准CMOS流程，可实现小尺寸封装与大规模量产，适用于PET、LiDAR、量子通信等多种高端光电检测场景。

二、拟交易价格

协议转让：50.94万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估值参考，经全体发明人同意，并与湾影科技（深圳）有限公司协商，双方同意以协议定价50.94万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2025年4月28日起至2025年5月12日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2025年4月28日