根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校武汉光电国家研究中心余宇老师团队的“一种高功率大带宽锗硅光电探测器等三项专利”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含3项知识产权：

（1）发明专利：一种高功率大带宽锗硅光电探测器

发明人：余宇；陈冠宇；张新亮

专利号：ZL201610192106.5

专利权人：华中科技大学

简介：提供了一种高功率大带宽锗硅光电探测器，以克服现有的锗硅光电探测器输出功率、工作带宽和器件设计复杂度等综合性能难以兼容的问题。该发明通过并联锗层结构，一方面增加有源吸收区面积，提高饱和输出功率，另一方面，并联结构可以对整体寄生结电阻、结电容进行调控，实现整体寄生参数不至显著劣化或者有一定改善。此外，通过引入片上/片外电感，对器件的动态响应过程进行调控，使得器件带宽曲线在高频处有一定抬升，进而提升了器件的工作带宽。该发明提出的锗硅光电探测器对响应度等参数没有显著影响，具有工艺复杂度低、结构紧凑、饱和输出功率高、工作带宽大等优良特性。

（2）发明专利：一种用于光纤与芯片间光信号传输的水平耦合器

发明人：余宇；赖亚骁；张新亮

专利号：ZL201610929509.3

专利权人：华中科技大学

简介：提供了一种新型的高阶水平耦合器，旨在解决传统水平耦合器主要因为端面截面小难以实现高阶模式耦合的技术问题。该发明通过第一采集模块引导和收集一阶线偏振模式中第一模斑，通过第二采集模块引导和收集一阶线偏振模式中第二模斑，随后第一模斑进入耦合模块中第一传输通道，第二模斑进入耦合模块中第二传输通道，最后通过模场在空间中的叠加实现第一模斑和第二模斑的耦合，由耦合模块的主传输通道输出。该发明实现了将光纤中一阶线偏振模式转化为芯片中的一阶横电模同时也保证了基模的透明耦合，使得二者均能达到较高的耦合效率，实现光纤与芯片之间低损耗、大带宽、大容量信号传输。

（3）发明专利：一种窄脉冲型扫频光源

发明人：张新亮；陈燎；张驰；王若兰

专利号：ZL202010893796.3

专利权人：华中科技大学

简介：提出了基于光电混合的双频梳的窄脉冲型扫频光源，其扫频速率灵活可调。第一光频梳是发展成熟的锁模脉冲技术，其带宽可达100 nm量级以上，可为扫频光源提供大带宽；第二电频梳通过光电探测器将第二光频梳转换成电频梳，极大地降低了对第二光频梳的带宽要求，也避免需要昂贵的大带宽的任意波形发生器，极大地降低了成本。光强度调制器将第二电频梳调制到色散拉伸的光频梳，从而可实现窄脉冲的扫频光源产生，其脉冲宽度通常在数十ps量级，将在应用中提供高信噪比。该发明相较于连续型扫频光源具有极高的峰值功率，从在提高灵敏度、降低样品损坏和减小冗余数据等都有着明显优势，从而满足一些应用需求对扫频光源的需求，扩大扫频光源在光通信、光谱成像等应用领域。

二、拟交易价格

协议转让：102万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，评估价值为101.95万元。经全体发明人同意，并与拓易（无锡）科技有限公司协商，双方同意以协议定价102万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2024年10月9日起至2024年10月23日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：徐老师、杨老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2024年10月9日