根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校集成电路学院缪向水老师团队的“三维相变存储器”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介：

成果包含6项知识产权：

（1）发明专利：一种高可靠性相变材料和相变存储器及制备方法

专利号：ZL201910759485.5

发明人：缪向水，周凌珺，童浩

专利权人：华中科技大学

简介：该专利涉及一种具有高可靠性的相变材料及其在相变存储器中的应用，包含详细的制备方法，显著提高了相变存储器的可靠性。

（2）发明专利：Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法

专利号：ZL201910828785.4

发明人：徐明，徐萌，缪向水

专利权人：华中科技大学

简介：该专利介绍了一种Ti-Ga-Sb相变材料及其在相变存储器中的应用，包含详细的制备方法，有效提高了相变存储器的性能和稳定性。

（3）发明专利：一种三维堆叠相变存储器及其制备方法

专利号：ZL201811084770.3

发明人：童浩，缪向水，沈裕山，蔡旺

专利权人：华中科技大学

简介：该专利涉及一种三维堆叠相变存储器及其制备方法，通过三维堆叠结构提升了存储密度和性能。

（4）发明专利：一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用

专利号：ZL201810097825.8

发明人：徐明，吴倩倩，缪向水

专利权人：华中科技大学

简介：该专利介绍了一种Ge-Sb-C相变存储材料及其制备方法，应用于相变存储器中，具有优良的存储性能。

（5）发明专利：一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法

专利号：ZL201310698161.8

发明人：李震，缪向水，何强，邓宇舤，周伟，缪颖

专利权人：华中科技大学

简介：该专利提供了一种方法，可以精确控制微纳尺寸相变材料的非晶化率，实现连续变化，提升相变存储器的性能。

（6）发明专利：用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法

专利号：ZL201110325521.0

发明人：程晓敏，鞠晨，缪向水

专利权人：华中科技大学

简介：该专利介绍了一种用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及其制备方法，显著提高了相变存储器的性能。

二、拟交易价格

作价投资：1000万元

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，评估价值为1000万元。经全体发明人同意，并与新存科技（武汉）有限责任公司协商，双方同意以协议定价1000万元作价投资。

特此公示，公示期15日，自2024年6月28日起至2024年7月12日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：杨老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2024年6月28日